Модули памяти Transcend H
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Transcend H
|
Дополнительно
| Количество ранков | 4 |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 3.3 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Тактовая частота | 133 МГц |
| Тип памяти | SDRAM |
| Форм-фактор | SODIMM 144-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 3 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Отзывы о товаре Transcend H |
| Добавить отзыв |
