Модули памяти Team Group TXD34G2666HC10QDC01
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Team Group TXD34G2666HC10QDC01
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.65 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Пропускная способность | 21300 Мб/с |
| Объем | 2 модуля по 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 31 |
| CAS Latency (CL) | 10 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 12 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 12 |
| Отзывы о товаре Team Group TXD34G2666HC10QDC01 |
| Добавить отзыв |
