Модули памяти Team Group TXD316G1866HC10SDC-V
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Team Group TXD316G1866HC10SDC-V
|
Дополнительно
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 2 модуля по 8 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 14900 Мб/с |
| Тактовая частота | 1866 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 30 |
| CAS Latency (CL) | 10 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 10 |
| Отзывы о товаре Team Group TXD316G1866HC10SDC-V |
| Добавить отзыв |
