Модули памяти Team Group TSDR512M400C3-E
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Team Group TSDR512M400C3-E
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 2.6 В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 8 |
| CAS Latency (CL) | 3 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Отзывы о товаре Team Group TSDR512M400C3-E |
| Добавить отзыв |
