Модули памяти Team Group TSDD1024M533C25
![]() Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Team Group TSDD1024M533C25
|
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.8 В |
Общие характеристики
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем | 1 модуль 1 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Пропускная способность | 4200 Мб/с |
Тактовая частота | 533 МГц |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 12 |
CAS Latency (CL) | 4 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
Отзывы о товаре Team Group TSDD1024M533C25 |
Добавить отзыв |