Модули памяти Team Group TEDR512M400HC25
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Team Group TEDR512M400HC25
|
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля | 8 |
| Напряжение питания | 2.7 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 8 |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Отзывы о товаре Team Group TEDR512M400HC25 |
| Добавить отзыв |
