Модули памяти Team Group TED12G400C3DC-S01
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Team Group TED12G400C3DC-S01
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 2.6 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 2 модуля по 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 8 |
| CAS Latency (CL) | 3 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Отзывы о товаре Team Group TED12G400C3DC-S01 |
| Добавить отзыв |
