Модули памяти Super Talent WB200UX3G9
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Super Talent WB200UX3G9
|
Дополнительно
| Количество ранков | 1 |
| Напряжение питания | 1.65 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 2000 МГц |
| Объем | 3 модуля по 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 28 |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Отзывы о товаре Super Talent WB200UX3G9 |
| Добавить отзыв |
