Модули памяти Super Talent WB200UB2G9
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Super Talent WB200UB2G9
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.65 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 16000 Мб/с |
| Тактовая частота | 2000 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 28 |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Отзывы о товаре Super Talent WB200UB2G9 |
| Добавить отзыв |
