Модули памяти Super Talent T800SB2G/V
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Super Talent T800SB2G/V
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.8 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 5 |
| Отзывы о товаре Super Talent T800SB2G/V |
| Добавить отзыв |
