Модули памяти Super Talent T533SB1G_E
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Super Talent T533SB1G_E
|
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Пропускная способность | 4300 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 4 |
| Отзывы о товаре Super Talent T533SB1G_E |
| Добавить отзыв |
