Модули памяти Super Talent T400SB1G_E
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Super Talent T400SB1G_E
|
Дополнительно
| Количество ранков | 2 |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 3 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
| Отзывы о товаре Super Talent T400SB1G_E |
| Добавить отзыв |
