Модули памяти Sun Microsystems SESX2B2Z
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Sun Microsystems SESX2B2Z
|
Дополнительно
| Количество ранков | 2 |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 2 модуля по 2 Гб |
| Поддержка ECC | есть |
| Пропускная способность | 5300 Мб/с |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | FB-DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 5 |
| Отзывы о товаре Sun Microsystems SESX2B2Z |
| Добавить отзыв |
