Модули памяти Silicon Power SP512MBLDU266L02
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Silicon Power SP512MBLDU266L02
|
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 2.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 2100 Мб/с |
| Тактовая частота | 266 МГц |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
| Отзывы о товаре Silicon Power SP512MBLDU266L02 |
| Добавить отзыв |
