Модули памяти Silicon Power SP008GXLYU213NDA
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Silicon Power SP008GXLYU213NDA
|
Дополнительно
| Количество ранков | 1 |
| Напряжение питания | 1.65 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 2 модуля по 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 17000 Мб/с |
| Тактовая частота | 2133 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 11 |
| Отзывы о товаре Silicon Power SP008GXLYU213NDA |
| Добавить отзыв |
