Модули памяти Silicon Power SP006GBLYU213S3B

Модули памяти - Silicon Power SP006GBLYU213S3B


Сравнить
Уведомить о появлении в продаже    Silicon Power SP006GBLYU213S3B
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.65 В
Радиатор есть
Количество ранков 2
Общие характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 2133 МГц
Пропускная способность 17066 Мб/с
Объем 3 модуля по 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 9


Отзывы о товаре Silicon Power SP006GBLYU213S3B
Добавить отзыв
Интернет портал цифровой техники Оплата Money.Yandex.ru Оплата WebMoney.ru детский массаж подготовка к родам детский сад организация праздников