Модули памяти Silicon Power SP004GBLTU106V02
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Silicon Power SP004GBLTU106V02
|
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1066 МГц |
| Пропускная способность | 8500 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 7 |
| Отзывы о товаре Silicon Power SP004GBLTU106V02 |
| Добавить отзыв |
