Модули памяти Silicon Power SP002GBSTU160V02
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Silicon Power SP002GBSTU160V02
|
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Отзывы о товаре Silicon Power SP002GBSTU160V02 |
| Добавить отзыв |
