Модули памяти Silicon Power SP002GBLTU133S0B
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Silicon Power SP002GBLTU133S0B
|
Дополнительно
| Количество ранков | 2 |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 10600 Мб/с |
| Тактовая частота | 1333 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Отзывы о товаре Silicon Power SP002GBLTU133S0B |
| Добавить отзыв |
