Модули памяти Silicon Power SP002GBLRU667S22
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Silicon Power SP002GBLRU667S22
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.8 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 2 модуля по 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 5 |
| Отзывы о товаре Silicon Power SP002GBLRU667S22 |
| Добавить отзыв |
