Модули памяти Silicon Power SP001GBSRU533O02
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Silicon Power SP001GBSRU533O02
|
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля | 16 |
| Напряжение питания | 1.8 В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Пропускная способность | 4200 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| Отзывы о товаре Silicon Power SP001GBSRU533O02 |
| Добавить отзыв |
