Модули памяти Silicon Power SP001GBSDU400O01
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Silicon Power SP001GBSDU400O01
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 2.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 3 |
| Отзывы о товаре Silicon Power SP001GBSDU400O01 |
| Добавить отзыв |
