Модули памяти Silicon Power SP001GBSDU333O02
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Silicon Power SP001GBSDU333O02
|
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 2.5 В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 333 МГц |
| Пропускная способность | 2700 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| Отзывы о товаре Silicon Power SP001GBSDU333O02 |
| Добавить отзыв |
