Модули памяти Samsung 66 ECC DIMM 1Gb
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Samsung 66 ECC DIMM 1Gb
|
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля | 9 |
| Напряжение питания | 1.35 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | есть |
| Пропускная способность | 8500 Мб/с |
| Тактовая частота | 1866 МГц |
| Тип памяти | DDR3L |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 13 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 13 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 13 |
| Отзывы о товаре Samsung 66 ECC DIMM 1Gb |
| Добавить отзыв |
