Модули памяти Samsung 0 SO-DIMM 2Gb
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Samsung 0 SO-DIMM 2Gb
|
Дополнительно
| Количество ранков | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 8, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.35 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Тип памяти | DDR3L |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 6 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 6 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 6 |
| Отзывы о товаре Samsung 0 SO-DIMM 2Gb |
| Добавить отзыв |
