Модули памяти Qimonda IMSH51E03A1F1C-13G
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Qimonda IMSH51E03A1F1C-13G
|
Дополнительно
| Количество ранков | 1 |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | есть |
| Пропускная способность | 10600 Мб/с |
| Тактовая частота | 1333 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 8 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 8 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 8 |
| Отзывы о товаре Qimonda IMSH51E03A1F1C-13G |
| Добавить отзыв |
