Модули памяти OCZ OCZ2SOE800URB1G
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
OCZ OCZ2SOE800URB1G
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.9 В |
| Радиатор | есть |
| Дополнительная информация | напряжение питания 1.9-2.1В, поддержка технологий Extended Voltage Protection и Enhanced Latency Technology |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
| Отзывы о товаре OCZ OCZ2SOE800URB1G |
| Добавить отзыв |
