Модули памяти OCZ OCZ2G800R21GK
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
OCZ OCZ2G800R21GK
|
Дополнительно
| Дополнительная информация | Напряжение питания 1.95-2.1В.Поддержка технологии Extended Voltage Protection. |
| Напряжение питания | 1.95 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Объем | 2 модуля по 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| Отзывы о товаре OCZ OCZ2G800R21GK |
| Добавить отзыв |
