Модули памяти OCZ OCZ266512VSO
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
OCZ OCZ266512VSO
|
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 266 МГц |
| Пропускная способность | 2100 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Отзывы о товаре OCZ OCZ266512VSO |
| Добавить отзыв |
