Модули памяти OCZ OCZ2533512ELGEGXT
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
OCZ OCZ2533512ELGEGXT
|
Дополнительно
| Дополнительная информация | поддержка технологии Extended Voltage Protection |
| Напряжение питания | 1.9 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 4200 Мб/с |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 8 |
| CAS Latency (CL) | 3 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
| Отзывы о товаре OCZ OCZ2533512ELGEGXT |
| Добавить отзыв |
