Модули памяти Mushkin 998779
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Mushkin 998779
|
Дополнительно
| Количество ранков | 2 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 3 модуля по 8 Гб |
| Поддержка ECC | есть |
| Пропускная способность | 10666 Мб/с |
| Тактовая частота | 1333 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Отзывы о товаре Mushkin 998779 |
| Добавить отзыв |
