Модули памяти Mushkin 991011
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Mushkin 991011
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 2.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 2700 Мб/с |
| Тактовая частота | 333 МГц |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 7 |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
| Отзывы о товаре Mushkin 991011 |
| Добавить отзыв |
