Модули памяти Kingston VR533D2S8F4/512
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston VR533D2S8F4/512
|
Дополнительно
| Количество ранков | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 9, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | есть |
| Пропускная способность | 4200 Мб/с |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | FB-DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Отзывы о товаре Kingston VR533D2S8F4/512 |
| Добавить отзыв |
