Модули памяти Kingston S8E7S/2G
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston S8E7S/2G
|
Дополнительно
| Количество ранков | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 9, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 2 Гб |
| Поддержка ECC | есть |
| Пропускная способность | 8500 Мб/с |
| Тактовая частота | 1066 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 7 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 7 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 7 |
| Отзывы о товаре Kingston S8E7S/2G |
| Добавить отзыв |
