Модули памяти Kingston S4R9S/4G
Галерея ( 1 ) Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston S4R9S/4G
|
Дополнительно
| Количество ранков | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 18, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | есть |
| Пропускная способность | 10600 Мб/с |
| Тактовая частота | 1333 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Отзывы о товаре Kingston S4R9S/4G |
| Добавить отзыв |
