Модули памяти Kingston KVR667D2S8F5/512
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston KVR667D2S8F5/512
|
Дополнительно
| Дополнительная информация | Память снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно. |
| Количество ранков | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 9, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | есть |
| Пропускная способность | 5300 Мб/с |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | FB-DIMM 240-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| CAS Latency (CL) | 5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| Отзывы о товаре Kingston KVR667D2S8F5/512 |
| Добавить отзыв |
