Модули памяти Kingston KVR333S4R25/512I
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston KVR333S4R25/512I
|
Дополнительно
| Дополнительная информация | Intel Validated memory module |
| Количество ранков | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 18, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 2.5 В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
| Тактовая частота | 333 МГц |
| Пропускная способность | 2700 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | есть |
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| Отзывы о товаре Kingston KVR333S4R25/512I |
| Добавить отзыв |
