Модули памяти Kingston KVR1333D3S8R9SK3/6G
![]() Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston KVR1333D3S8R9SK3/6G
|
Дополнительно
Количество ранков | 1 |
Количество чипов каждого модуля | 9, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
Буферизованная (Registered) | да |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем | 3 модуля по 2 Гб |
Поддержка ECC | есть |
Пропускная способность | 10600 Мб/с |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Отзывы о товаре Kingston KVR1333D3S8R9SK3/6G |
Добавить отзыв |