Модули памяти Kingston KVR1333D3S8N9K3/6G
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston KVR1333D3S8N9K3/6G
|
Дополнительно
| Количество ранков | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 3 модуля по 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 10600 Мб/с |
| Тактовая частота | 1333 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Отзывы о товаре Kingston KVR1333D3S8N9K3/6G |
| Добавить отзыв |
