Модули памяти Kingston KVR1066D3N7/512
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston KVR1066D3N7/512
|
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1066 МГц |
| Пропускная способность | 8500 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 7 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 7 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 7 |
| Отзывы о товаре Kingston KVR1066D3N7/512 |
| Добавить отзыв |
