Модули памяти Kingston KHX16C9B1B/4
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston KHX16C9B1B/4
|
Дополнительно
| Количество ранков | 2 |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.65 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Отзывы о товаре Kingston KHX16C9B1B/4 |
| Добавить отзыв |
