Модули памяти Kingston KHX11000D3LLK2/1G
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston KHX11000D3LLK2/1G
|
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.7 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 2 модуля по 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 11000 Мб/с |
| Тактовая частота | 1375 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 20 |
| CAS Latency (CL) | 7 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 7 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 7 |
| Отзывы о товаре Kingston KHX11000D3LLK2/1G |
| Добавить отзыв |
