Модули памяти Kingston 4R3/2G
![]() Галерея ( 1 ) Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Kingston 4R3/2G
|
Дополнительно
Количество ранков | 1 |
Количество чипов каждого модуля | 18, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.8 В |
Общие характеристики
Буферизованная (Registered) | да |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем | 1 модуль 2 Гб |
Поддержка ECC | есть |
Пропускная способность | 3200 Мб/с |
Тактовая частота | 400 МГц |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
CAS Latency (CL) | 3 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
Отзывы о товаре Kingston 4R3/2G |
Добавить отзыв |