Модули памяти GoodRAM GR800S364L6/2G
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
GoodRAM GR800S364L6/2G
|
Дополнительно
| Количество ранков | 2 |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| CAS Latency (CL) | 6 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 6 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 6 |
| Отзывы о товаре GoodRAM GR800S364L6/2G |
| Добавить отзыв |
