Модули памяти GoodRAM GR1600D364L9/1G
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
GoodRAM GR1600D364L9/1G
|
Дополнительно
| Количество ранков | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 29 |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Отзывы о товаре GoodRAM GR1600D364L9/1G |
| Добавить отзыв |
