Модули памяти GoodRAM GR1066D364L6/2GDC
![]() Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
GoodRAM GR1066D364L6/2GDC
|
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |
Количество ранков | 1 |
Общие характеристики
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1066 МГц |
Пропускная способность | 8500 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 1 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 20 |
CAS Latency (CL) | 6 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 7 |
Row Precharge Delay (tRP) | 7 |
Отзывы о товаре GoodRAM GR1066D364L6/2GDC |
Добавить отзыв |