Модули памяти GoodRAM GP1100D264L6/4GDC
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
GoodRAM GP1100D264L6/4GDC
|
Дополнительно
| Дополнительная информация | напряжение питания 2.1-2.4В |
| Количество ранков | 2 |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 2.1 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1100 МГц |
| Пропускная способность | 8800 Мб/с |
| Объем | 2 модуля по 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 18 |
| CAS Latency (CL) | 6 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 6 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 6 |
| Отзывы о товаре GoodRAM GP1100D264L6/4GDC |
| Добавить отзыв |
