Модули памяти G.SKILL HU1-1GBNT
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
G.SKILL HU1-1GBNT
|
Дополнительно
| Дополнительная информация | напряжение питания 2.6-2.75В |
| Напряжение питания | 2.6 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 8 |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Отзывы о товаре G.SKILL HU1-1GBNT |
| Добавить отзыв |
