Модули памяти G.SKILL F3-1866C10S-4GRSL
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
G.SKILL F3-1866C10S-4GRSL
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.35 В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR3L |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тактовая частота | 1866 МГц |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 32 |
| CAS Latency (CL) | 10 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 10 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 10 |
| Отзывы о товаре G.SKILL F3-1866C10S-4GRSL |
| Добавить отзыв |
