Модули памяти G.SKILL F3-1600C11S-4GIS
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
G.SKILL F3-1600C11S-4GIS
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Радиатор | есть |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 28 |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Отзывы о товаре G.SKILL F3-1600C11S-4GIS |
| Добавить отзыв |
